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EO POWER - MAGGIO 2023 VI Insieme a una bassa carica di gate (Q g ) di soli 44 nC, que- sti miglioramenti contribuiscono in modo significativo alla riduzione delle perdite e all’aumento della densità di potenza nelle soluzioni di alimentazione ad alte presta- zioni ed elevata efficienza. Una temperatura di canale di 175 ºC (max) offrirà al progettista un maggiore margine termico. Il nuovo dispositivo inoltre limita i picchi di tensione cre- ati durante la commutazione, migliorando così le carat- teristiche EMI dei progetti e riducendo la necessità di fil- traggio. Esso è alloggiato in un package SOP Advance(N) versatile a montaggio superficiale che misura appena 4,9 mm x 6,1 mm x 1,0 mm. Per supportare i progettisti, Toshiba ha sviluppato un modello G0 SPICE per una rapida verifica delle funzioni del circuito, oltre ai modelli G2 SPICE altamente accura- ti, per una riproduzione accurata delle caratteristiche in transitorio. Ulteriore supporto alla progettazione è fornito sotto for- ma di progetti di riferimento avanzati, ora disponibili sul sito Web di Toshiba. Questi includono un convertitore DC-DC buck-boost non isolato da 1kW, un inverter mul- tilivello trifase a MOSFET e un convertitore DC-DC a ponte in- tero da 1 kW, che utilizzano tutti il nuovo TPH9R00CQ5. Maggiori informazioni sul nuo- vo MOSFET TPH9R00CQ5 sono disponibili all’indirizzo: https:// toshiba.semicon-storage.com/ eu/semiconductor/product/ mosfets/12v-300v-mosfets/ detail.TPH9R00CQ5.html Le prestazioni migliorate di recupero inverso del nuovo TPH9R00CQ5 di Toshiba riducono significativamente le perdite di rettifica sincrona Toshiba Electronics Europe ha introdotto un nuovo MO- SFET di potenza a canale N da 150 V basato sul processo U-MOS XH Trench di ultima generazione. Il nuovo dispo- sitivo (TPH9R00CQ5) è progettato specificamente per l’u- so negli alimentatori a commutazione ad alte prestazioni come quelli utilizzati nelle stazioni base di comunicazio- ne e in altre applicazioni industriali. Con una V dss massima di 150 V e una corrente operativa ( I d ) di 64 A, il nuovo dispositivo vanta una resistenza di on ( R ds (ON) ) al terminale drain-source molto bassa, pari ad appena 9,0 mΩ (max). Si tratta di una riduzione di ol- tre il 40% rispetto al prodotto di generazione precedente TPH1500CNH1. Nelle soluzioni di alimentazione ad alte prestazioni che utilizzano la rettifica sincrona, le prestazioni di recupero inverso sono estremamente importanti. Grazie all’in- tegrazione di un “body diode” ad alta velocità, il nuovo TPH9R00CQ5 riduce la carica di recupero inverso (Q rr ) di circa il 74% (a 34 nC tipici) rispetto a un dispositivo esi- stente come il TPH9R00CQH. Inoltre, il tempo di ripri- stino inverso (trr) di soli 40 ns rappresenta un migliora- mento di oltre il 40% rispetto ai dispositivi precedenti. Power MOSFET da 150 V ad alte prestazioni di Toshiba Alessandro Nobile