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ra 9. L’LTC7051 ha superato l’altro dispositivo DrMOS e ha dimostrato che il rumore generato alla frequenza di com- mutazione è inferiore rispetto a quello del componente di concorrenza. La differenza di rumore rilevata è stata di circa 1 mV rms. La piattaforma dimostrativa DrMOS LTC7051 può es- sere utilizzata per fornire un confronto imparziale tra i prodotti offerti dalla concorrenza. Funzionando ad alta frequenza di commutazione, l’LTC7051 aumenta signifi- cativamente l’efficienza della conversione di potenza e le prestazioni termiche, integrando l’architettura Silent- MOS™ e il condensatore di bootstrap in un unico packa- ge termicamente avanzato. Inoltre, l’LTC7051 è in grado di ridurre l’energia di ringing e spike, che si manifesta non solo sul nodo di commutazione ma si propaga an- che all’uscita. Nelle applicazioni reali, il carico di uscita richiede tolleranze ridotte e parte di queste riguardano il valore DC nominale. Tuttavia, il rumore generato da un’e- levata energia di spike e ripple, che si manifesta anche in uscita, consuma il budget complessivo. I data center, molto impegnativi in termini di potenza, risparmieran- no notevolmente su energia e costi di gestione, per non parlare dei vantaggi aggiuntivi derivanti da una minore necessità di gestione termica e dalle EMI, che verrebbe- ro ridotte in modo significativo o addirittura eliminate, pur continuando a rispettare i canoni di progettazione dei filtri e del posizionamento dei componenti. Detto que- sto, l’LTC7051 dovrebbe rappresentare il vostro stadio di potenza di riferimento e il dispositivo DrMOS risultare indispensabile per le vostre esigenze di progettazione e applicazione VRM. Con l’aumento della temperatura ambiente da 25°C a 80°C, la differenza di temperatura osservata tra l’LTC7051 e il suo concorrente è aumentata fino a circa 15°C, con il primo ancora una volta a risultare più freddo. Prestazioni del Nodo di Commutazione del Dispositivo Dalla figura 7 si può osservare che il picco della tensione drain-source (VDS) dell’LTC7051 è inferiore a quello del dispositivo concorrente. Inoltre, con l’aumento del carico a 60 A, la VDS misurata sul dispositivo della concorrenza raggiunge il picco massimo, mostrando anche un’oscil- lazione prolungata. L’LTC7051, invece, è riuscito ad avere un picco più piccolo e un’oscillazione ridotta, sempre gra- zie all’architettura Silent Switcher 2 e al condensatore di bootstrap integrato nella famiglia DrMOS LTC705x. Ciò si traduce in un overshoot più basso sul nodo di commuta- zione, con conseguente riduzione delle EMI, dei disturbi irradiati e condotti e in una maggiore affidabilità grazie alla riduzione degli stress da sovratensione sul nodo di commutazione. Prestazioni del Dispositivo in Termini di Ripple di Uscita Un altro parametro è il ripple della tensione di uscita, il- lustrato nella figura 8. Si può notare che il rumore esibi- to dall’LTC7051 è minore rispetto a quello del componente della concorrenza. La riduzione del rumore è dovuta al picco VDS più basso e all’oscillazione minima sul nodo di com- mutazione, che rappresentano il risultato della tecnologia Silent Switcher. Se non vengono generati picchi sul nodo di commutazione, non c’è alcun rumore condotto in uscita. Allo stesso modo, sia l’LTC7051 che il dispositivo della concorrenza sono stati sottoposti a misurazioni Spread Spectrum del rumore di uscita, come mostrato nella figu- ANALOG DRMOS TECHNOLOGY Fig. 7 – Forme d’onda del nodo di commutazione a 1 V, valutate rispettivamente con un carico di 0 A e 60 A Fig. 8 – Forme d’onda del ripple di uscita a 1 V, valutate rispettivamente con un carico di 0 A e 60 A Fig. 9 – Spettro del rumore di uscita a 1 V con carico di 60 A alla frequenza di commutazione di 1 MHz ELETTRONICA OGGI 510 - MAGGIO 2023 39