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EO POWER - MAGGIO 2023 XXVI Power Packaging di potenza per la nuova generazione di dispositivi di conversione in GaN Alex Lidow, Michael de Rooij, Sam Sundaram Efficient Power Conversion I transistor e i circuiti integrati in GaN inseriti in un package PQFN mantengono i vantaggi in termini di prestazioni e dimensioni degli analoghi dispositivi in formato WLCS, ampiamente utilizzati in applicazioni complesse come quelle automobilistiche, satellitari, di elaborazioni dati e di mobilità elettrica Dal lancio dei transistor di potenza enhancement mode in GaN-on-Si (nitruro di gallio su silicio) avvenuto nel marzo 2010, si è assistito a una lenta ma continua crescita dell’adozione di questa nuova classe di dispositivi in sostituzione dei tradizionali MOSFET di potenza basati sul silicio. L’adozione iniziale è avvenuta grazie ad alcuni progettisti visionari amanti del rischio in applicazioni quali lidar, amplificatori audio di fascia alta, robot, fari per veicoli e convertitori DC-DC ad alte prestazioni. Si trattava di aziende che avevano molto da guadagnare dalle prestazioni di questi dispositivi realizzati con una tecnologia di processo completamente nuova. EPC è stata la prima azienda ad avviare la produzione in grande serie con i FET eGaN , tutti dispositivi forniti inizialmente nel controverso formato WLCS (Wafer Level Chip Scale), come quello illustrato nella figura 1. Il motivo alla base dell’eliminazione del packaging è che i dispositivi in GaN erano inizialmente destinati ad applicazioni con i requisiti prestazionali più elevati Fig. 1 – Il transistor EPC1001 in formato WLCS da 7 mm 2 è stato uno dei primi dispositivi in GaN-on-Si introdotti da EPC nel marzo 2010