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EO POWER - MAGGIO 2023 X Power zione regolabile (da 200 kHz a 2 MHz) e le modalità operative selezionabili riducono al minimo il rischio di interferenze di frequenza per le applicazioni di strumentazione a bassissimo rumore eper signal chainadaltavelocità e altaprecisione. Tra le altre caratteristiche di LTM8080 da segnalare le seguenti: corrente di uscita doppia da 500 mA o singola da 1 A, tensio- ni di uscita: da 0 V a 8 V, funzione di tracking della tensione per ridurre al minimo le perdite, corrente del pin SET di 100 μA con una precisione iniziale del ±1%, possibilità di collega- mento in parallelo per ridurre il rumore e aumentare la cor- rente. LTM8080EY#PBF e LTM8080IY#PBF sono disponibili in package BGA di dimensioni pari a 9x6,25x3,32mm. È possibile scaricare il data sheet e ordinare i campioni e le schede di valutazione all’indirizzo: https://www.analog. com/LTM8080 . Un filmato sul regolatore μModule LTM8080 può essere visionato all’indirizzo: https://www.analog.com/en/education/education-library/ videos/6322084180112.html stituito da un regolatore step-down sincrono Silent Switcher ad alta efficienza seguito da due regolatori lineari sepa- rati a basso rumore e basso dropout (LDO). Per sopprime- re ulteriormente il rumore di commutazione, il packaging dell’LTM8080 integra una barriera o schermatura EMI. Ne risultano valori di rumore eccezionalmente bassi: <1 µVRMS (da 10 Hz a 100 kHz), 2 nV/√Hz (10 kHz) e 80 dB PSRR (100 kHz). Rispetto alle soluzioni discrete senza schermaturaEMI, LTM8080 riduce il ripple in uscita fino al 70%, per un design semplificato e silenzioso. Questo regolatore è progettato spe- cificamente per alimentare carichi digitali sensibili al rumo- re del regolatore switch, come data converter, trasmettitori RF, FPGA I/O e clock, amplificatori operazionali, transceiver e scanner medicali. L’architetturaSilentSwitcher integratadelregolatoreµMod- ule LTM8080 riduce al minimo le emissioni EMI e consente al dispositivodi soddisfare lenormeCISPR22ClasseBeCISPR25 Classe 5 senza filtro di ingresso. La frequenza di commuta- Circuiti integrati per stadi di potenza a 100 V Alessandro Nobile EPC ha annunciato la disponibilità di due nuovi circuiti in- tegrati per stadi di potenza a 100 V con correnti nominali di 15 A ( EPC23104 ) e 25 A ( EPC23103 ) . I due dispositivi si af- fiancano al circuito integrato per stadi di potenza a 100 V da 35 A ( EPC23102 ) già offerto da EPC. I tre circuiti integrati sono in grado di sopportare una ten- sione massima di 100 V e integrano uno stadio di potenza completo amezzo ponte in nitruro di gallio (GaN), che com- prende FET simmetrici in configurazione a mezzo ponte, driver amezzo ponte, traslatore di livello, stadio di carica di bootstrap e interfaccia logica di ingresso. I tre dispositivi sono disponibili in un contenitore QFN ter- micamente potenziato di soli 3,5x5 mm, con faccia supe- riore esposta per facilitare il raffreddamento su due lati e fianchi bagnabili. La compatibilità del formato tra i vari di- spositivi consente ai clienti di aggiornare facilmente i loro progetti, per ottenere migliori prestazioni o costi inferiori senzamodificare la scheda, e quindi di adattarsi facilmente alle mutevoli esigenze di carico richiesto. Nelle applicazioni di conversione DC-DC , i dispositivi sono in grado di funzionare con un’elevata efficienza ad alta frequenza di commutazione (3 MHz al massimo) e offrono prestazioni più elevate e dimensioni più ridotte per realiz- zare convertitori DC-DC da 28 V - 60 V in ambito informa- tico, industriale e di alimentazione via USB PD 3.1. Nel campo degli azionamenti per motori BLDC da 32 V - 48 V destinati alla mobilità elettrica, la robotica, gli utensili elettrici e i droni, i dispositivi possono funzionare con tem- pi morti ridotti (21 ns) e a 100 kHz per aumentare l’efficien- za del sistema di alimentazione, grazie alla riduzione delle perdite e delle vibrazioni del nucleo magnetico del motore e per ridurre o eliminare le necessità di utilizzare conden- satori elettrolitici. Le schede di sviluppo, EPC90151 e EPC90152, sono soluzioni dimostrative a mezzo ponte che integrano rispettivamente il circuito integrato ePower Stage EPC23103 e EPC23104. I progettisti interessati a sostituire i loro MOSFET al silicio con una soluzione in GaN possono utilizzare lo strumento di riferimento incrociato EPC GaN Power Bench per trovare un sostituto suggerito in base alle loro condizioni operative specifiche. Lo strumento di riferimento incrociato è dispo- nibile all’indirizzo: https://epc-co.com/epc/DesignSupport/GaNPower- Bench/CrossReferenceSearch.aspx Efficient Power Conversion (EPC) ha ampliato la sua famiglia di circuiti integrati ePower con stadi di potenza in formato inter- cambiabile per aumentare la densità di potenza e semplificare la progettazione di convertitori DC-DC, azionamenti per motori e amplificatori audio in classe D con diversi requisiti di potenza